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院士专家聚焦窄带隙半导体材料新领域 谋划技术发展新蓝图
来源:ebet官网 发布时间:2016-04-14 点击次数: 1174

       窄带隙半导体材料作为开发高性能场效应电子器件、量子器件、中红外光电子器件的极佳材料,可用于制造非常高效的红外发光器件和高灵敏度的中红外探测器件。红外探测在红外遥感、气象预报、深空探测、武器探测、武器制导、公共安全、工业过程控制以及医学检测等领域有非常广泛的应用。窄带隙材料异质结还是制造红外激光器的核心,在多功能纳米压电器件、高效光电池开发等前沿领域具有广阔的应用前景。近年来,该类材料在红外探测、红外光源等方面的研发取得了很大进展,是国际上重点研究与开发的热点材料之一。

       与其它发达国家相比,我国在宽带隙半导体与硅基元器件方面已经具有了一定的科研和工业基础,但在窄带隙半导体材料及其器件的研发方面则起步较晚,整体水平相对落后,为了进一步集中发挥国内的相关基础研究与技术开发的优势力量,力争在新一轮技术与产业革命中建立起具有自主知识产权的技术体系,4月13日,北京协同创新ebet(以下简称协同院)举办了窄带隙半导体材料和光电子器件协同创新研讨会,希望通过交流讨论,为该领域的科研发展寻找创新之道。

徐洪起教授发言

       本次座谈会由北京大学徐洪起教授主持。徐教授首先介绍了窄带隙半导体材料和光电子器件协同创新的总体设想,中科院半导体所的赵建华研究员、杨涛研究员、牛智川研究员、刘峰奇研究员、北京大学黄少云副教授分别介绍了目前的研究成果。中科院夏建白院士对半导体纳米材料在光电器件方面的应用做了总结报告。随后中科院甘子钊院士、王占国院士对该领域已有的研究成果和未来发展方向提出了建设性意见。

夏建白院士发言

甘子钊院士发言

王占国院士发言

王茤祥院长发言

       最后,协同院院长王茤祥在发言中指出,协同院致力于通过先进技术支撑产业发展,针对该领域,协同院将做出整体部署,并对有价值的项目进行应用规划,为下一步工作开展打下基础。

       协同院电子与信息学部、创新发展部、北京协同创新投资控股有限公司相关负责人出席会议。